SK hynix公司（中文简称：SK海力士）是一家半导体制造商，世界第二大内存芯片制造商，成立于1983年2月，总部位于韩国京畿道。
公司原名为现代内存，于1996年上市，2012年被韩国第三大财阀SK集团收购部分股份后，更名为SK hynix。
2019年2月，公司已提交了投资意向书，计划在韩国建设一个半导体工业区。公司计划在2022年之后的10年里投资120万亿韩元（1066.6亿美元），在首尔以南40公里的龙仁市新工业区建设四座晶圆厂。
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
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