普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。pnpn四层半导体结构，有三个极：阳极，阴极和门极。 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。
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