由于闪存颗粒中存储密度存在差异,所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说,NAND闪存的基本原理,QLC容量大,但性能也变差了。
SLC:每个Cell单元存储1bit信息,也就是只有0、1两种电压变化,结构简单,电压控制也快速,反映出来的特点就是寿命长,性能强,P/E寿命在1万到10万次之间,但缺点就是容量低而成本高,毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC:每个cell单元存储2bit信息,需要更复杂的电压控制,有00,01,10,11四种变化,这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC:每个cell单元存储3bit信息,电压从000到001有8种变化,容量比MLC再次增加1/3,成本更低,但是架构更复杂,P/E编程时间长,写入速度慢,P/E寿命也降至1000-3000次,部分情况会更低。寿命短只是相对而言的,通常来讲,经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC或者可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步竖灶降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口帆滑中的二者都可以达到540MB/S,QLC表现差在写入速度上。
因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长,速度更慢余轿扮,连续写入速度从520MB/s降至360MB/s,随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS,损失将近一半。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。
按品牌分
矽统(SIS)、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。
以上内容参考:百度百科-闪存
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