中文全称：屏蔽栅沟槽。英文全称：Shield Gate Trench。 海飞乐技术屏蔽栅/分立栅MOSFET技术(Shield Gate Trench MOSFET)，MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移区电荷，这样可以降低漂移区的电阻率，从而降低器件的比导通电阻(RSP)和栅极电荷(Qg)。第二个源极沟槽(Source Trench)作为有源区接触电极，该设计能减小原胞尺寸(Pitch ...
sgt的工艺是在半导体材料如硅衬底中刻蚀形成沟槽,淀积介质层之后填充多晶硅,且多晶硅在沟槽中
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